最近在eVGA的官方论坛上，我们可以看到很多网友都在讨论关于680i上运行Micron D9 Series RAM烧毁的事件。玩家们把自己的内存品牌型号，相关主板的型号及各项Timing设定、电压设定都Share出来，不过依然不能避免悲剧的发生。感兴趣的消费者可以参考以下链接：http://evga.com/community/messageboard/topic.asp?TOPIC_ID=31115

    而nVIDIA和eVGA官方也因此共同发表了一个声明，用来提醒那些打算在NVIDIA nForce 680i SLI芯片组主板上使用高频率DDR2内存的用户，过高的内存电压设定可能会导致内存芯片毁损。更可怕的是nVIDIA表示并不是其nForce680i Chipset造成内存损毁，而是2.4V以上的电压对DRAM硅晶造成了不可逆转影响。相关文章请参考这里：http://www.ocer.net/article/a_show.php?id=9781

    增加电压会带来更高的频率与更低的延迟。笔者就曾经为了跑出DDR2-1000以上同时保持3-3-3-X的Ultra Low Latency而将Memory Voltage加到3V，虽然确实短时间的运行成功，系统非常稳定，但第二天此对内存就彻底挂了。以上这些例证，都反映出电压高低对内存的寿命影响程度。

 DDR2-1020 3-3-3-5低延迟记录　　

    笔者当时的低延迟内存记录链接：http://valid.x86-secret.com/show_oc.php?id=133456

    DDR2的标准默认电压为1.8V，如果你想在DDR2内存最大标准频率800以上运行内存，则通常要加一些电压。比如Micron D9颗粒的超频性能好，但大部分条件下是在高电压条件下实现的，世界记录更是在超过2.4V以上电压跑出来的频率。在这种超出默认1.8V标称值33％甚至还要高的高电压下，芯片的寿命将会大幅缩短。对于破记录来说，产品寿命短些无关紧要，但对普通用户可就是很大的损失了。如果卖家宣称他的内存可以保超1200，你一定要问清楚是在何种电压下实现的，如果是高电压，那么这种高频率毫无疑义。

    因此笔者奉劝那些不想让重金购回的RAM成为纪念品的消费者还是别让您手中的爱条手挽手、心连心一块“自杀”了。