三、RAS# Precharge；这个是说明内存参数时排到第三位的数值，例如4-3-2-5 500MHz，表示tR为2。

    tRP用来设定在另一行能被激活之前RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。因此，在稳定的前提下建议tRP设为2，万一不够稳定就必须增加到3或4甚至5、6。

    四、Cycle Time（Tras）；这个选项控制内存最小的行地址激活时钟周期数（tRAS），它表示一个行地址从激活到复位的时间。

    tRAS过长，会严重影响性能。减少tRAS可以使得被激活的行地址更快的复位，然而，tRAS太短也会造成不够时间完成一次突发传送，数据会丢失或者覆盖。最佳设置通常是越低越好。通常，tRAS应该设为tCL+tRCD+2个时钟周期。例如如果 tCL和tRCD分别为4和3个时钟周期，则最佳的tRAS值为9。但如果产生内存错误或系统不稳定，就必须提高tRAS值了。

    五、Command Rate；这是内存中最重要的参数，但很多时候它并不在内存时序中存在，更多是把它放在频率后面。

 Intel Chipset主板BIOS中一般默认2T，不会提供Command Rate选项

    说明：选择2T是在混插不同品牌及型号的内存时增加兼容性的一个好办法。不少主板为保证更好的兼容性将其默认设为2T，您可以根据自己手中内存的体制来试着让它尽量工作在1T下。（Intel平台部分主板无法设置1/2T Command Rate模式）

    在SDRAM时代延迟对性能高低的影响非常明显，但随着内存工作频率的提升，到了现在DDR2 SDRAM时代，延迟的作用已经微乎其微了。当然，对于极限玩家冲击超频记录来说，延迟的参数仍是重中之重，因为那几分几毫的差距很可能就是由延迟的不同造成的，这也是极限玩家对低延迟内存趋之若鹜的原因。对于普通用户，延迟的高低在日常应用软件中的影响微乎其微，因此用户在使用DDR2内存中已经没有必要追求低延迟，只要按照标准参数设置即可。

    既然延迟的意义变得这样小，我们还讨论它又有什么用？这有两方面的原因：

    1、超频用户都有追求完美的心理，高频率低延迟的实现不仅能带来更要的性能（可能就高那么一点儿，但是作为OCER会欣喜若狂），也能让玩家充分展现自己的超频技术。
    2、高频率低延迟的内存价格更贵，就像开篇中讨论的DDR2-1200的例子那样，同样都是这个频率，但是延迟低的内存利润要高很多，这也是内存品牌的技术实力体现，同时也是第一点原因中高端玩家需求导致的结果。

    正是由于利润的缘故，同样的DDR2-1200，有了低延迟内存的高价，那么其他高延迟内存如果不提这个参数，不是也能卖到同样的价格么？因此很多卖家在延迟参数方面避而不谈，而大部分消费者对此类参数也是含糊不清，最后多花了冤枉钱。