在上个世纪就接触电脑DIY的同学应该对Rambus内存还有印象，具有先进串行总线技术的Rambus内存最终只是昙花一现，结果被DDR SDRAM迅速取代。除去价格因素，过高延迟导致的非连续性数据读写效能的低下，是Rambus落败的主要原因。

    从随机存储器原理来说，每个数据的保存是利用晶体管的电容效应来发生作用，而电容本身有充放电的时间，这就不可避免的出现时钟延迟现象。

 权威检测软件CPU-Z中对Timings的诠释

    目前看来，内存的参数主要分为：Timings（基参、主参）与SubTimings（微参、小参）。而CPU-Z中可以体现的主要有：

    Frequency（频率）；

    FSB：DRAM/CPU：DRAM（分频比值）[视Chipset而定]；

    Timings：

    一、CAS#Latency；这是最重要的内存参数之一，通常说明内存参数时把它放到第一位，例如4-3-2-5 500MHz ，表示CL为4。一般设置3可以达到更好的性能，但5或以上能提供更佳的稳定性。

    CAS表示列地址寻址（Column address Strobe or Column address Select），CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row address Strobe）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从 CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

    这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。

    二、RAS# to CAS# Delay；这个是说明内存参数时排到第二位的数值，例如4-3-2-5 500MHz，表示tRCD为3。

    该参数可以控制内存行地址选通脉冲（RAS，Row address Strobe）信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，出于最佳性能考虑可将该参数设为2，如果系统无法稳定运行则可将该参数设为3或4甚至5、6。同样的，调高此参数可以允许内存运行在更高的频率上且达到更佳的性能，在内存不稳定时可以尝试提高tRCD 。